特許

J-GLOBAL ID：200903012346435716

電界効果型半導体装置及びその製造方法

発明者： 村井 成行 ,  藤井 栄美 ,  松下 重治 ,  冨永 久昭
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 鳥居 洋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-254777
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091348
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 この発明は、ゲート電極端を規定した絶縁膜とゲート金属との密着性を高め、歩留まりを向上させた電界効果型半導体装置を提供することを目的とする。【解決手段】 この発明の電界効果型半導体装置は、GaAS基板1の所定の位置に配置されたソース、ドレイン電極6と、ソース、ドレイン電極6間のGaAS中に設けられたチャネル領域と、ソース、ドレイン電極6間にあって、チャネル領域の一部とショットキ接触するゲート電極11と、ゲート電極11の両側面で前記GaAS基板表面とゲート電極11を電気的に絶縁する絶縁膜7と、を備え、ゲート電極7がチャネル領域を構成するGaAs表面と絶縁膜7の一部を覆った電界効果型半導体装置であって、ゲート電極11を構成する最下層の金属層8を絶縁膜7との密着性に優れた第2の金属層9で覆った。

請求項（抜粋）：

半導体基板の所定の位置に配置されたソース、ドレイン電極と、ソース、ドレイン電極間の半導体中に設けられたチャネル領域と、ソース、ドレイン電極間にあって、チャネル領域の一部とショットキ接触するゲート電極と、前記ゲート電極の両側面で前記半導体基板表面とゲート電極を電気的に絶縁する絶縁膜と、を備え、前記ゲート電極が前記チャネル領域を構成する半導体表面と前記絶縁膜の一部を覆った電界効果型半導体装置であって、前記ゲート電極を構成する最下層の金属層を前記絶縁膜との密着性に優れた第2の金属層で覆ったことを特徴とする電界効果型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/812 ,  H01L 29/872

FI (2件)：

H01L 29/80 M ,  H01L 29/48 H

Fターム (37件)：

4M104AA05 ,  4M104BB02 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB09 ,  4M104BB14 ,  4M104CC03 ,  4M104DD09 ,  4M104DD16 ,  4M104DD17 ,  4M104DD26 ,  4M104DD34 ,  4M104DD68 ,  4M104DD84 ,  4M104FF07 ,  4M104GG12 ,  4M104HH09 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD01 ,  5F102GJ05 ,  5F102GS02 ,  5F102GS04 ,  5F102GT01 ,  5F102GT05 ,  5F102GV06 ,  5F102GV07 ,  5F102GV08 ,  5F102HA05 ,  5F102HC01 ,  5F102HC07 ,  5F102HC11 ,  5F102HC12 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-352431
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-068686   出願人：株式会社日立製作所