特許
J-GLOBAL ID：200903012364435847
ドライエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高橋 光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-312249
公開番号（公開出願番号）：特開平7-169738
出願日： 1993年12月13日
公開日（公表日）： 1995年07月04日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 酸化シリコン系材料層のドライエッチングにおいて、下地材料層やレジストマスクとの選択比を高め、エッチングレート、低汚染の要望を満たす。【構成】 シリコン基板1上のSiO2 層間絶縁膜3を、アルコール、エーテルおよびケトンのうちのいずれかと、フッ素系ガスとの混合ガスを用いて異方性エッチングし、コンタクトホール5を形成する。このとき形成される側壁保護膜は、C-O結合がその構造中に取り込まれた炭素系プラズマポリマであり、強固な化学結合により高いドライエッチング耐性を有する。【効果】 異方性加工に必要なイオンエネルギを低減でき、選択比が向上する。また下地シリコン基板のダメージ低減にも寄与する。側壁保護膜堆積量を低減できるので、低汚染化を達成できる。さらに、流量比を切り替えてオーバーエッチングを行うことにより、その効果を一段と高められる。
請求項（抜粋）：
下地材料層上に形成された酸化シリコン系材料層を、アルコール、エーテルおよびケトンからなる群から選ばれる少なくとも1種類の化合物と、フッ素系ガスとを含む混合ガスを用いてエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (2件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/28
