特許
J-GLOBAL ID:200903012366617659
ハフニウムアルコキシトリス(β-ジケトネート)とその製造方法およびそれを用いた酸化物膜の製法
発明者:
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出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-301239
公開番号(公開出願番号):特開2002-069027
出願日: 2000年08月25日
公開日(公表日): 2002年03月08日
要約:
【要約】【課題】ゲート絶縁膜などのHf含有酸化物薄膜をCVD法で成膜するための原料として、Hf(OtBu)4より安定で、取扱いしやすく、Hf(dpm)4より低温で成膜できる化合物を提供する。さらにその製法と、それを用いてHf含有酸化物薄膜を作る方法を提供する。【解決手段】新規化合物Hf(OiPr)(dpm)3は0.1Torr/160°C、Hf(OtBu)(dpm)3は0.1Torr/170°Cの昇華圧を持ち、融点200°C以上の結晶である。それはHf(OiPr)4またはHf(OtBu)41モルと、dpmH3モルとを有機溶媒中で反応させ、昇華精製して得られる。担持昇華法あるいは溶液フラッシュ法により本化合物を供給し、酸素雰囲気中、500°CでCVDを行うと容易にHfO2膜を形成できる。
請求項(抜粋):
Hf(OR)(L)3・・・・・・・・式I(Rは炭素数1〜4のアルキル基、Lはβ-ジケトネートを表す)で表される化合物。
IPC (5件):
C07C 49/92
, C07C 45/77
, C23C 16/40
, H01L 21/316
, C07F 7/00
FI (5件):
C07C 49/92
, C07C 45/77
, C23C 16/40
, H01L 21/316 X
, C07F 7/00 Z
Fターム (35件):
4H006AA01
, 4H006AA02
, 4H006AB40
, 4H006AB78
, 4H006AB84
, 4H006AB91
, 4H006AC91
, 4H006AD11
, 4H006AD17
, 4H006BB11
, 4H006BC31
, 4H049VN07
, 4H049VP01
, 4H049VQ24
, 4H049VR44
, 4H049VS21
, 4H049VT40
, 4H049VU24
, 4H049VV02
, 4H049VW02
, 4K030AA11
, 4K030AA14
, 4K030BA42
, 4K030CA04
, 4K030FA10
, 4K030LA02
, 4K030LA15
, 5F058BA20
, 5F058BC03
, 5F058BF04
, 5F058BF05
, 5F058BF07
, 5F058BF22
, 5F058BF29
, 5F058BG03
引用文献:
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