特許

J-GLOBAL ID：200903012378442102

ポジ型レジスト膜形成用塗布液

発明者： 佐藤 和史 ,  新田 和行 ,  山崎 晃義 ,  坂井 与日 ,  中山 寿昌
出願人/特許権者： 東京応化工業株式会社
代理人 (1件)： 阿形 明 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149285
公開番号（公開出願番号）：特開平9-005987
出願日： 1995年06月15日
公開日（公表日）： 1997年01月10日
要約：

【要約】【構成】 (A)放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(C)ケトン系、エーテル系やエステル系溶剤から成る基本組成に対し、(D)N,N-ジアルキルカルボン酸アミドを(B)成分に基づき0.1〜5重量%の割合で配合して成るポジ型レジスト膜形成用塗布液である。【効果】 化学増幅型で、高感度及び高解像性を有し、かつ孤立したレジストパターン形状に優れ、超LSIの製造工程の微細加工に特に有効に使用できる。

請求項（抜粋）：

(A)放射線照射により酸を発生する化合物、(B)酸の作用によりアルカリ水溶液への溶解度が増大する樹脂成分及び(C)ケトン系、エーテル系及びエステル系溶剤の中から選ばれた少なくとも1種から成る基本組成に対し、(D)N,N-ジアルキルカルボン酸アミドを(B)成分に基づき0.1〜5重量%の割合で配合したことを特徴とするポジ型レジスト膜形成用塗布液。

IPC (4件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/027

FI (4件)：

G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 501 ,  H01L 21/30 502 R

引用特許：

審査官引用 (3件)

• レジスト塗布組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-197814   出願人：日本合成ゴム株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-253741   出願人：日本合成ゴム株式会社
• 感放射線性樹脂組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-261875   出願人：日本合成ゴム株式会社