特許

J-GLOBAL ID：200903012398275911

バラクタデバイスを備えた半導体集積回路

発明者： 大塚 寛治 ,  宇佐美 保
出願人/特許権者： 大塚 寛治 ,  宇佐美 保 ,  松下電器産業株式会社 ,  沖電気工業株式会社 ,  三洋電機株式会社 ,  シャープ株式会社 ,  ソニー株式会社 ,  株式会社東芝 ,  日本電気株式会社 ,  株式会社日立製作所 ,  富士通株式会社 ,  三菱電機株式会社 ,  ローム株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-315360
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124635
出願日： 2000年10月16日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】 トランジスタの状態遷移に必要な電荷を強制的にポンプアップ、ポンプダウンする回路を設けることにより、当該トランジスタの高速スイッチングを実現することにある。【解決手段】 pMOSトランジスタ11とnMOSトランジスタ12とにより、信号Dinを入力とし、信号Doutを出力とするCMOS構成のラインドライバ10を構成する。pMOSトランジスタ11のソースと電源Vddとの間にpMOSバラクタ13を、nMOSトランジスタ12のソースとグランドVssとの間にnMOSバラクタ14をそれぞれ介在させる。両MOSバラクタ13,14は、各々pMOSトランジスタ11及びnMOSトランジスタ12と全く同じ寸法構造ないしは2倍のチャネル面積を有する。両MOSバラクタ13,14の各々のゲートには、入力信号Dinの反転信号XDinを与える。

請求項（抜粋）：

ある信号に呼応してオン・オフするように半導体基板上に形成されたスイッチングデバイスと、前記信号の電圧レベルに応じた可変の容量を有し、かつ前記信号の遷移時に前記スイッチングデバイスとの間で電荷の授受を行うことにより前記スイッチングデバイスの高速状態遷移を助けるように前記半導体基板上に形成されたバラクタデバイスとを備えたことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 27/04 M ,  H01L 27/04 V

Fターム (9件)：

5F038AV01 ,  5F038AV05 ,  5F038AV06 ,  5F038BG03 ,  5F038BG05 ,  5F038CA02 ,  5F038DF02 ,  5F038DF17 ,  5F038EZ20

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-372739   出願人：株式会社東芝
• 低スイッチング雑音論理回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-203523   出願人：株式会社半導体理工学研究センター