特許

J-GLOBAL ID：200903012404465531

不揮発性多値メモリ装置

発明者： 南部 想 ,  内野 高志 ,  萩原 治夫
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-251448
公開番号（公開出願番号）：特開平9-091973
出願日： 1995年09月28日
公開日（公表日）： 1997年04月04日
要約：

【要約】【課題】 データの記憶分解能を可変し、データの信頼性の確保と高密度記録を必要に応じて選択的に優先できるようにする。【解決手段】 ADPCMデコーダ2から4ビット単位に音声データを出力し、アドレスコントローラ9から音声データを記憶したアドレスデータを2ビット単位に出力し、2ビットアドレスデータと4ビット音声データの上位2ビットを、切換信号NTSELに応じて第1マルチプレクサ13によって選択して、選択したデータをリードライト回路に送出すると共に、リードライト回路には入力される4ビットデータのうち下位2ビットを切換信号NTSELに応じて0レベルに固定するANDゲート71,72を設け、EEPROMメモリセル3に音声データを記憶するときは記憶分解能を16値し、アドレスデータを記憶するときは記憶分解能を4値として書き込みを行う。

請求項（抜粋）：

nビット(n:2以上の整数)のデジタルデータを入力して保持するnビットのデータレジスタと、多値情報を書き込み可能な不揮発性メモリセルと、前記データレジスタの内容に対応する多値情報を前記不揮発性メモリセルに書き込む書き込み回路と、前記nビットのデータレジスタのうち下位mビット(m:m<nの整数)の入力段に挿入され、切換信号に応じて入力デジタルデータを所定レベルに固定するゲート回路とを備えたことを特徴とする不揮発性多値メモリ装置。

IPC (2件)：

G11C 16/04 ,  G11C 11/413

FI (2件)：

G11C 17/00 308 ,  G11C 11/34 302 B

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-122014   出願人：新日本製鐵株式会社
• 特表平6-504156