特許
J-GLOBAL ID：200903012405912345
電極構造の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-164379
公開番号（公開出願番号）：特開平8-031767
出願日： 1994年07月15日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：
【要約】【目的】 n型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体に対して良好なオーミック接触が得られるようにする。【構成】 n型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層上51に、窒化物生成自由エネルギー変化が0kcal/molよりも小さい金属を構成元素とするシリサイドを堆積して電極層52を形成する。その金属元素により半導体層51中に存在する窒素原子が半導体層とシリサイド層との界面に引き寄せられ、界面近傍に窒素原子空孔が少ない化学量論比のとれた結晶である、高キャリア濃度な半導体層(n+-AlxGayIn1-x-yN:Si)53が形成され、熱的安定性を向上できる。Siは半導体層に対して良好なn型不純物となるので、半導体層とシリサイド層との界面ではコンタクト層として十分な高キャリア濃度が得られる。
請求項（抜粋）：
n型AlxGayIn1-x-yN(0≦x≦1、0≦y≦1、x+y≦1)半導体層上に、窒化物生成自由エネルギー変化が0kcal/molよりも小さい金属を構成元素とするシリサイドを堆積して電極層を形成する工程を含む電極構造の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/285 301
, H01L 21/324
