特許
J-GLOBAL ID：200903070660528265
3-5族化合物半導体用電極の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
久保山 隆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-092323
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302770
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】3-5族化合物半導体に用いる透明な電極材料の製造方法を提供して、電極を通して電極方向への光の取り出しを可能とし、LEDの製造における検査工程を容易でしかも信頼性の高いものとする。【構成】InX Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、3-5族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、400°C以上で熱処理することを特徴とする3-5族化合物半導体用電極の製造方法。
請求項（抜粋）：
InX Gay Alz N(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表される3-5族化合物半導体に用いられる電極の製造方法であり、3-5族化合物半導体の上に電極材料を形成後、さらにその上に保護層を形成したのち、400°C以上で熱処理することを特徴とする3-5族化合物半導体用電極の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/28 301
, H01L 21/28
, H01L 21/203
, H01L 33/00
