基板処理方法及び基板処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：油井透 , 阿仁屋節雄 , 清野仁 , 福岡昌浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-061425
公開番号（公開出願番号）：特開2009-177191
出願日： 2009年03月13日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

【課題】一方で被処理基板を適度に酸化し、他方で被処理基板の酸化抑制を可能にする。【解決手段】金属膜及びポリシリコン膜が表面に露出している被処理基板に供給する水素ガスと酸素または酸素含有ガスとの混合ガスをプラズマ放電して混合プラズマを生成し、混合プラズマで前記被処理基板を処理する工程と、被処理基板に供給する水素ガスをプラズマ放電して水素プラズマを生成し、前記水素プラズマで前記被処理基板を処理する工程とを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

金属膜及びポリシリコン膜が表面に露出している被処理基板に供給する水素ガスと酸素または酸素含有ガスとの混合ガスをプラズマ放電して混合プラズマを生成し、前記混合プラズマで前記被処理基板を処理する工程と、前記被処理基板に供給する水素ガスをプラズマ放電して水素プラズマを生成し、前記水素プラズマで前記被処理基板を処理する工程とを有することを特徴とする基板処理方法。

IPC (6件)：

H01L 21/316 , H01L 21/31 , H01L 21/824 , H01L 27/115 , H01L 29/788 , H01L 29/792

FI (4件)：

H01L21/316 A , H01L21/31 C , H01L27/10 434 , H01L29/78 371

Fターム (54件)：

5F045AA08 , 5F045AA20 , 5F045AB32 , 5F045AC11 , 5F045AD04 , 5F045AD05 , 5F045AD06 , 5F045AD07 , 5F045AD08 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE13 , 5F045AE15 , 5F045AE17 , 5F045AE19 , 5F045AE21 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045BB15 , 5F045DC68 , 5F045DP03 , 5F045DQ10 , 5F045EE12 , 5F045EE18 , 5F045EF05 , 5F045EH12 , 5F045EH16 , 5F058BB04 , 5F058BC02 , 5F058BD04 , 5F058BF54 , 5F058BF55 , 5F058BF62 , 5F058BF63 , 5F058BF73 , 5F058BJ07 , 5F083EP02 , 5F083EP22 , 5F083EP55 , 5F083EP56 , 5F083ER21 , 5F083GA06 , 5F083GA25 , 5F083GA27 , 5F083JA04 , 5F083JA39 , 5F083PR12 , 5F101BA01 , 5F101BA29 , 5F101BA36 , 5F101BB08 , 5F101BE07 , 5F101BH03

引用特許：

審査官引用 (1件)

半導体装置の製造方法及びp形半導体素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-144706 出願人：ソニー株式会社

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