特許
J-GLOBAL ID:200903012475839440

光電気セルおよび該光電気セルの半導体膜形成用塗布液

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 鈴木 俊一郎 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-373673
公開番号(公開出願番号):特開2001-185245
出願日: 1999年12月28日
公開日(公表日): 2001年07月06日
要約:
【要約】【課題】 セルに圧力がかかっても半導体膜と対向する電極層が接触することもなく、さらに電解質層を均一にかつ極めて薄くすることが可能な光電気セルに関する。【解決手段】表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した半導体膜(2)が形成されてなる基板と、表面に電極層(3)を有する基板とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置されてなり、半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質が封入されてなる光電気セルにおいて、 半導体膜(2)にスペーサ粒子が埋設され、かつ該スペーサ粒子の少なくとも一部が電極層(3)と接触しうるように半導体膜(2)より露出されてなることを特徴とする光電気セル。
請求項(抜粋):
表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に光増感材を吸着した半導体膜(2)が形成されてなる基板と、表面に電極層(3)を有する基板とが、前記電極層(1)および電極層(3)が対向するように配置されてなり、半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質が封入されてなる光電気セルにおいて、半導体膜(2)にスペーサ粒子が埋設され、かつ該スペーサ粒子の少なくとも一部が電極層(3)と接触しうるように半導体膜(2)より露出されてなることを特徴とする光電気セル。
IPC (2件):
H01M 14/00 ,  H01L 31/04
FI (2件):
H01M 14/00 P ,  H01L 31/04 Z
Fターム (6件):
5F051AA14 ,  5H032AA06 ,  5H032AS16 ,  5H032EE02 ,  5H032EE16 ,  5H032HH04
引用特許:
審査官引用 (2件)

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