特許
J-GLOBAL ID：200903015932335142
光電気セルおよび光電気セル用金属酸化物半導体膜の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴木 俊一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-149550
公開番号（公開出願番号）：特開平11-339867
出願日： 1998年05月29日
公開日（公表日）： 1999年12月10日
要約：
【要約】【課題】 分光増感色素吸着量が高く、分光増感色素との反応性が高く半導体内の電子移動がスムーズで、光電変換効率の向上した光電気セルを提供する。【解決手段】 表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に分光増感色素を吸着した金属酸化物半導体膜(2)が形成されてなる絶縁性基板と、表面に電極層(3)を有する絶縁性基板とが、前記電極層(1)および(3) が対向するように配置してなり、金属酸化物半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質を封入してなる電気セルにおいて、少なくとも一方の絶縁性基板および電極が透明性を有し、金属酸化物半導体膜(2)がアナターゼ型酸化チタン粒子を含むことを特徴とする光電気セル。
請求項（抜粋）：
表面に電極層(1)を有し、かつ該電極層(1)表面に分光増感色素を吸着した金属酸化物半導体膜(2)が形成されてなる絶縁性基板と、表面に電極層(3)を有する絶縁性基板とが、前記電極層(1)および(3) が対向するように配置してなり、金属酸化物半導体膜(2)と電極層(3)との間に電解質を封入してなる電気セルにおいて、少なくとも一方の絶縁性基板および電極が透明性を有し、金属酸化物半導体膜(2)がアナターゼ型酸化チタン粒子を含むことを特徴とする光電気セル。
IPC (4件)：
H01M 14/00
, H01G 9/20
, H01G 9/00
, H01L 31/04
H01M 14/00 P
, H01G 9/20
, H01L 31/04 Z
