レベルシフト回路

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：前田弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-324539
公開番号（公開出願番号）：特開平8-181600
出願日： 1994年12月27日
公開日（公表日）： 1996年07月12日
要約：

【要約】【目的】論理ゲートにスイッチ回路とフィードバック回路とを組合せて、面積の小さいレベルシフト回路を提供する。【構成】低電圧動作回路に接続される入力信号端子101と、高電圧動作回路に接続される出力信号端子102と、入力部が入力信号端子101に接続され出力部が出力信号端子102に接続され高電圧で動作する論理ゲートであるCMOSインバータ105と、CMOSインバータ105の出力がLレベルのときにCMOSインバータ105の入力部に高電圧を導入するフィードバック回路102と、入力信号端子101とCMOSインバータ105の入力部との間に介設され入力信号端子101への電流の逆流を阻止する機能を有するスイッチ回路103とを備えている。低電圧動作するインバータを設ける必要がないので、LSIのパターン面積を小さくすることができる。

請求項（抜粋）：

第1の電圧で動作する第1の外部回路に接続される入力信号端子と、上記第1の電圧よりも高い第2の電圧で動作する第2の外部回路に接続される出力信号端子と、入力部が上記入力信号端子に接続され出力部が上記出力信号端子に接続されて、上記第2の電圧で動作する論理ゲートと、上記入力信号端子と論理ゲートの入力部の少なくとも一部との間に介設され、上記入力信号端子の電位が上記第1の電圧よりも低い所定電位以下のときにオンし、上記論理ゲートの入力部の少なくとも一部の電位が上記所定電位を越えるとオフするスイッチ回路と、上記出力信号端子の電位状態に応じて上記論理ゲートの入力部の電位を上記第2の電圧に引き上げるフィードバック回路とを備えたことを特徴とするレベルシフト回路。

FI (2件)：

H03K 19/00 101 C , H03K 19/00 101 D

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平4-090621
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-278006 出願人：富士通株式会社, 富士通ヴイエルエスアイ株式会社
特開平2-084816

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