半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：須山佐一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-214132
公開番号（公開出願番号）：特開平7-066280
出願日： 1993年08月30日
公開日（公表日）： 1995年03月10日
要約：

【要約】【目的】例えば 1.0μm 以上というような厚いフィールド酸化膜に対して、任意の角度のテーパーを容易に形成することを可能にすると共に、テーパー角度の加工制御性を高めた半導体装置の製造方法を提供する。【構成】半導体基板2に設けられたフィールド酸化膜1上に、用いる露光波長に対して高透過性を有する膜厚 2μm 以上の厚膜ポジレジスト3を塗布する。ポジレジスト3に露光、現像処理を施し、所望の開口部4を形成する。ポジレジスト3の熱軟化温度付近の温度で熱処理を施し、ポジレジストの開口端部に所望角度のテーパー3aを形成する。フィールド酸化膜1をエッチングする主反応性ガスに、堆積性を有するガスおよびポジレジストのエッチングレートを促進するガスを適宜添加した混合ガスを用いて、フィールド酸化膜1を反応性イオンエッチングし、平均角度が 5〜85°の範囲の任意の角度のテーパー1aを形成する。

請求項（抜粋）：

半導体装置における厚い酸化膜を加工するにあたり、前記酸化膜上に、用いる露光波長に対して高透過性を有する膜厚 2μm 以上の厚膜ポジレジストを塗布する工程と、前記ポジレジストに露光、現像処理を施し、所望の開口部を形成する工程と、前記ポジレジストの熱軟化温度付近の温度で熱処理を施し、前記ポジレジストの開口端部に所望角度のテーパーを形成する工程と、前記酸化膜をエッチングする主反応性ガスに、堆積性を有するガスおよび前記ポジレジストのエッチングレートを促進するガスを適宜添加した混合ガスを用いて、前記酸化膜を反応性イオンエッチングし、前記酸化膜の端部に任意の角度のテーパーを形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/76 , H01L 21/3065 , H01L 29/78

FI (3件)：

H01L 21/76 M , H01L 21/302 M , H01L 29/78 321 R

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平2-292824
特開昭62-115743
特開昭62-152128

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