特許
J-GLOBAL ID：200903012486993190

回路装置

発明者：
柴田 清司

柴田 清司 について

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臼井 良輔

臼井 良輔 について

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井上 恭典

井上 恭典 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： ▲角▼谷 浩
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-142272
公開番号（公開出願番号）：特開2007-059874
出願日： 2006年05月23日
公開日（公表日）： 2007年03月08日
要約：
【課題】熱膨張による位置ずれや膜剥がれを制御し、温度上昇時における信頼性低下を抑制することを可能とする回路装置を提供する。【解決手段】本発明の回路装置50は、回路基板10内部にコア部材としてハニカム配列に並べられた複数の開口部2を有する金属基板1が設けられている。この開口部2の上面側の端には突起1aを有し、開口部2の下面側の端には丸みを帯びた角部(へたり)1bを有している。この金属基板1の両面側に絶縁層3,5を介してそれぞれ配線パターン層4,6が形成されている。また、各配線パターン層を電気的に接続させるため、開口部2を介して金属基板1を貫通し、配線パターン層4と配線パターン層6とを接続する導体層8が形成され、各配線パターン層との導通が得られる。さらに、回路基板10の上面側にLSIチップ20が半田ボール21を介して接続されている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
複数の開口部を有する金属基板と、 前記金属基板の一方の面に第1の絶縁層を介して設けられた第1の配線層と、 前記金属基板の他方の面に第2の絶縁層を介して設けられた第2の配線層と、 前記開口部の少なくとも一部においてその開口部を介して前記金属基板を貫通し、前記第1の配線層と第2の配線層とを接続する導体層と、 前記金属基板の一方の面において前記第1の配線層に接続された回路素子と、 を備え、 前記金属基板の表面には前記開口部の端に沿うように突起が設けられている回路装置。
IPC (1件)：
H05K 1/05
FI (1件)：
H05K1/05 B
Fターム (16件)：
5E315AA05 ,  5E315AA10 ,  5E315AA11 ,  5E315BB04 ,  5E315BB05 ,  5E315BB11 ,  5E315BB15 ,  5E315BB18 ,  5E315CC15 ,  5E315CC21 ,  5E315DD16 ,  5E315DD20 ,  5E315GG07 ,  5E315GG14 ,  5E315GG16 ,  5E315GG22
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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