特許
J-GLOBAL ID:200903012499940258

半導体光センサ装置及びこれを組込んだ情報機器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 竹村 壽
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-271393
公開番号(公開出願番号):特開2006-086425
出願日: 2004年09月17日
公開日(公表日): 2006年03月30日
要約:
【課題】 数ルクスの数万ルクスの高照度までの広範囲の照度領域で照度検出が可能な半導体光センサ装置及びこれを組込んだ携帯電話を提供する。【解決手段】 異なる照度特性を有する複数のフォトダイオード部(PD1、PD2)1と、複数のフォトダイオード部のいずれかを選択するスイッチ2と、選択されたフォトダイオード部1の出力を増幅する増幅回路3と、基準電圧発生回路6から生成された比較電圧生成回路7と、増幅回路の出力と比較電圧生成回路7の出力とを比較して生成された出力に基づいてスイッチを制御するモード検出回路8と、増幅回路3の出力と比較電圧生成回路7の出力とを比較する比較器(コンパレータ)5と、モード検出回路8の出力と比較器の出力と比較する論理回路9と、論理回路の出力に繋がる出力部10とを備え、フォトダイオード部に照射される照度に基づいて複数のフォトダイオード部は切り換えられる。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
互いに異なる照度-出力特性を有する複数のフォトダイオード部と、 前記複数のフォトダイオード部のいずれか1つ、あるいは複数のフォトダイオードを選択するスイッチと、 前記スイッチにより選択されたフォトダイオード部の出力と第1の基準電圧とを比較して生成された信号を前記スイッチに出力し、前記スイッチを制御するモード検出回路と、 前記スイッチにより選択されたフォトダイオード部の出力と、第2の基準電圧とを比較する比較器回路と、 前記モード検出回路と、前記比較器回路の出力とを比較する論理回路とを有することを特徴とする半導体光センサ装置。
IPC (3件):
H01L 31/10 ,  H05B 37/02 ,  H01L 27/14
FI (3件):
H01L31/10 G ,  H05B37/02 D ,  H01L27/14 K
Fターム (21件):
3K073AA12 ,  3K073AA63 ,  3K073AA85 ,  3K073BA28 ,  3K073CA05 ,  3K073CF13 ,  3K073CF17 ,  3K073CF18 ,  3K073CJ22 ,  4M118AA02 ,  4M118AB10 ,  4M118BA02 ,  4M118CA02 ,  4M118GC01 ,  5F049MA01 ,  5F049NA20 ,  5F049UA01 ,  5F049UA13 ,  5F049UA14 ,  5F049UA20 ,  5F049WA03
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る