特許
J-GLOBAL ID：200903012503106659
半導体パッケージ及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤巻 正憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-165719
公開番号（公開出願番号）：特開2000-353763
出願日： 1999年06月11日
公開日（公表日）： 2000年12月19日
要約：
【要約】【課題】 プリント基板等に実装され使用される際に発生する応力を分散することができると共に、短時間で製造することができる半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。【解決手段】 Cuメッキ層3上に残存するように、Cu箔5をエッチングする。このとき、残存するCu箔5の面積がCuメッキ層3の面積よりも小さくなるようにする。続いて、例えばレーザを使用しCu箔5をマスクとして樹脂フィルム4をエッチングすることにより、Cu箔5側からCuメッキ層3側にかけて面積が広くなるテーパ形状(台形状)に樹脂フィルム4を残存させる。次に、全面に金属層6を形成することにより、Cu箔5とCuメッキ層3との間の導通を確保する。このとき、樹脂フィルム4がテーパ形状となっているので、金属層6の形成は容易である。次いで、Cu箔5の表面上、樹脂フィルム4の側面上及びCuメッキ層3の表面上に残存するように金属層6をエッチングする。
請求項（抜粋）：
電極が設けられたウェハを封止する樹脂層と、この樹脂層を貫通し前記電極に一方の端部が接続されたポストと、このポストの他方の端部に接続されたバンプと、を有する半導体パッケージにおいて、前記ポストは、前記電極に接続された第1の導電層と、この第1の導電層上に形成された樹脂層と、この樹脂層上に形成された第2の導電層と、前記樹脂層の側面に形成され前記第1及び第2の導電層を相互に接続する第3の導電層と、を有することを特徴とする半導体パッケージ。
IPC (3件)：
H01L 23/12
, H01L 21/56
, H01L 21/60
H01L 23/12 F
, H01L 21/56 R
, H01L 21/92 602 F
, H01L 23/12 N
, H01L 23/12 L
5F061AA01
, 5F061BA07
, 5F061CA05
, 5F061CB13
