半導体装置およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：木村高久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-028448
公開番号（公開出願番号）：特開平11-224890
出願日： 1998年02月10日
公開日（公表日）： 1999年08月17日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】水分による腐食による導通不良や水分が蒸発することにより起こる剥離(デラミネーション)不良を防止すること、および、導電部とプリント基板の熱膨張係数の違いにより導電部に応力が発生し、導電部の半導体装置側端部が剥離することや、ボール自体が破壊されることを防止する。【解決手段】半導体チップの電極2が設けられた主面のみを絶縁性樹脂コートする絶縁性樹脂コート部5が設けられた半導体装置であって、主面の外周に沿ってハーフカット部4が設けられており、絶縁性樹脂コート部はハーフカット部を含む主面を絶縁性樹脂コートしていること、および、導電部7は弾性樹脂部8を導電層10で覆った構造であり、導電層が半導体装置と外部の導通を行う。

請求項（抜粋）：

半導体チップの電極が設けられた主面のみを絶縁性樹脂コートする絶縁性樹脂コート部が設けられた半導体装置であって、主面の外周に沿ってハーフカット部が設けられており、絶縁性樹脂コート部はハーフカット部を含む主面を絶縁性樹脂コートしていることを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/60 311 , H01L 23/12

FI (2件)：

H01L 21/60 311 S , H01L 23/12 L

引用特許：

審査官引用 (8件)

特開平4-305945
半導体装置およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-044892 出願人：富士通テン株式会社
特開平1-192125

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