特許

J-GLOBAL ID：200903012536654945

半導体装置

発明者： 渡辺 重佳
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-093908
公開番号（公開出願番号）：特開2000-286392
出願日： 1999年03月31日
公開日（公表日）： 2000年10月13日
要約：

【要約】【課題】 高速動作とスタンドバイ時の低消費電力特性が両立できるLSIを提供する。【解決手段】 スタンドバイ時にゲート絶縁膜に印加される最大電圧をアクティブ時と比較して低減する。また微細MOSトランジスタのゲート電極に付加素子を接続しスタンドバイ時にLSIの電源から接地へのリーク電流パスを切断する。

請求項（抜粋）：

微細MOSトランジスタを多数集積した半導体装置において、前記半導体装置のスタンドバイ時に前記微細MOSトランジスタに印加される電界を前記半導体装置のアクティブ時と比較して低減する手段を備えた事を特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 29/78

FI (4件)：

H01L 27/04 A ,  H01L 27/08 102 F ,  H01L 29/78 301 J ,  H01L 29/78 301 G

Fターム (17件)：

5F038BB04 ,  5F038BH04 ,  5F038BH11 ,  5F038DF01 ,  5F038DT12 ,  5F038EZ20 ,  5F040DA00 ,  5F040DA19 ,  5F040DB01 ,  5F040DB06 ,  5F048AA00 ,  5F048AA01 ,  5F048AC03 ,  5F048BB16 ,  5F048CC06 ,  5F048CC15 ,  5F048CC19

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-294799   出願人：株式会社日立製作所, 日立デバイスエンジニアリング株式会社