半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：松本正夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-337838
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162829
出願日： 1997年11月21日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】露光光の反射によるレジストパターンの崩れを防止し、微細なパターニングを可能とする。【解決手段】基板11上に第1のSiO2膜12を堆積し、その第1のSiO2膜12上に、0.1wt%以上の濃度のB、Pのうち少なくとも一方を添加したSiO2膜13を堆積し、さらにSiO2膜13上にフォトレジスト15を塗布し、フォトレジスト15を200nm以下の波長の光で露光する工程を含む。

請求項（抜粋）：

半導体装置の製造方法において、B、Pのうち少なくとも一方を添加した絶縁膜を堆積する工程と、前記絶縁膜上にフォトレジストを塗布する工程と、前記フォトレジストを短波長の光で露光する工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , G03F 7/38 501 , H01L 21/3205

FI (3件)：

H01L 21/30 574 , G03F 7/38 501 , H01L 21/88 K

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平4-144230
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-268160 出願人：三菱電機株式会社
特開昭57-107053

全件表示

前のページに戻る