特許
J-GLOBAL ID：200903012573474922
半導体センサ回路
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
柿本 恭成
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-010642
公開番号（公開出願番号）：特開2007-192647
出願日： 2006年01月19日
公開日（公表日）： 2007年08月02日
要約：
【課題】リーク電流による測定誤差を生じさせない給電回路を有する半導体センサ回路を提供する。【解決手段】電圧VHを磁気センサ1の端子DOPに供給するPMOS13と電圧VLを端子DONに供給するNMOS15に加え、端子DOPと電圧VLの間に接続されたNMOS23と端子DONと電圧VHの間に接続されたPMOS25を設け、これらのNMOS23とPMOS25を常時オフに設定する。測定モードが切り替えられてPMOS13とNMOS15がオフになった時、これらのPMOS13とNMOS15に流れるリーク電流がNMOS23とPMOS25に流れるリーク電流によって相殺され、端子DOP,DON間に出力される電位差にリーク電流による誤差が発生することを防止できる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
環境条件によって抵抗値が変化する4個の半導体素子によって第1から第4のノードの間をリング状に接続した半導体センサと、
第1の基準電圧に基づいて第1の電源電圧を生成する第1の増幅器と、
第2の基準電圧に基づいて第2の電源電圧を生成する第2の増幅器と、
第1の測定モード時に前記第1の電源電圧を前記第1のノードに印加し、第2の測定モード時にはオフ状態となる第1のトランジスタと、
前記第2の測定モード時に前記第1の電源電圧を前記第2のノードに印加し、前記第1の測定モード時にはオフ状態となる第2のトランジスタと、
前記第1の測定モード時に前記第2の電源電圧を前記第3のノードに印加し、前記第2の測定モード時にはオフ状態となる第3のトランジスタと、
前記第2の測定モード時に前記第2の電源電圧を前記第4のノードに印加し、前記第1の測定モード時にはオフ状態となる第4のトランジスタと、
前記第2の増幅器の出力側と前記第1のノードの間に接続され、常にオフ状態に設定された第5のトランジスタと、
前記第2の増幅器の出力側と前記第2のノードの間に接続され、常にオフ状態に設定された第6のトランジスタと、
前記第1の増幅器の出力側と前記第3のノードの間に接続され、常にオフ状態に設定された第7のトランジスタと、
前記第1の増幅器の出力側と前記第4のノードの間に接続され、常にオフ状態に設定された第8のトランジスタと、
前記第1の測定モード時には前記第2のノードと前記第4のノードの間の電位差を出力し、前記第2の測定モード時には前記第1のノードと前記第3のノードの間の電位差を出力する出力スイッチとを備え、
前記第1、第2、第7及び第8のトランジスタと、前記第3、第4、第5及び第6のトランジスタは、それぞれ同一のディメンジョンに形成したことを特徴とする半導体センサ回路。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (3件)：
2G017AB08
, 2G017AD53
, 2G017BA09
