特許
J-GLOBAL ID：200903012573909945
半導体レーザ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-064067
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264897
出願日： 1995年03月23日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：
【要約】【目的】 低歪のアナログ変調用の半導体レーザを歩留りよく得る。【構成】 前面に低反射率膜、後面に高反射率膜を施し、共振器方向における前面側からの一部分のみにInP層とそれに接して形成されたInGaAsPからなる光ガイド層の界面に回折格子を形成した半導体レーザにおいて、回折格子を形成する領域の長さ(Lg )が素子長の1/3以下で、回折格子の山谷の振幅が200〜260オングストロームの範囲内にある。【効果】 キャリアおよび電界強度分布の不均一が改善され、電流-光出力特性の直線性が向上しアナログ変調歪が低減される。また、後面側端面の回折格子の位相のばらつきの影響がなくなるために素子特性のばらつきが低減され歩留りが改善される。従って低歪のアナログ変調用の半導体レーザを歩留り良く得ることができる。
請求項（抜粋）：
前面に低反射率膜、後面に高反射率膜を有し、InP層とそれに接して形成されるInGaAsP層からなる光ガイド層の界面に、共振器方向において前面側からの一部分のみに回折格子を形成する半導体レーザにおいて、回折格子を形成する領域の長さが素子長の1/3以下で、かつ回折格子の山谷の振幅が200〜260オングストロームの範囲内にあることを特徴とする半導体レーザ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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