特許

J-GLOBAL ID：200903012577187596

不揮発性半導体記憶装置

発明者： 天沼 一志
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-334307
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202039
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 読みだし・書き込み回数の制限のない不揮発性半導体装置を提供する。【構成】 電荷転送用トランジスタと強誘電体キャパシタによってメモリセルを構成した半導体記憶装置において、キャパシタ材料に用いる強誘電体10を(Pb1-a Caa )TiO3 (ただし、a=0.01〜0.4)または(Pb1-b Smb )TiO3 (ただし、b=0.05〜0.15)または(Pb1-c Gdc )TiO3 (ただし、c=0.05〜0.15)のうちいずれかを主成分とする材料によって構成する。

請求項（抜粋）：

電荷転送用トランジスタと強誘電体キャパシタによってメモリセルを構成した半導体記憶装置において、上記強誘電体が(Pb1-a Caa )TiO3 (ただし、a=0.01〜0.4)または(Pb1-b Smb )TiO3 (ただし、b=0.05〜0.15)または(Pb1-c Gdc )TiO3 (ただし、c=0.05〜0.15)のうちいずれかを主成分とする材料によって構成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/115

FI (3件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 325 J ,  H01L 27/10 434

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 強誘電体メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-239696   出願人：オリンパス光学工業株式会社
• 特開平1-294529
  
• 強誘電体材料および該材料をゲートとして用いた電界効果型トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-261915   出願人：株式会社リコー
• 特開平4-014862