ウェハ処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：大塚康徳 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-038080
公開番号（公開出願番号）：特開平10-242103
出願日： 1997年02月21日
公開日（公表日）： 1998年09月11日
要約：

【要約】【課題】パーティクルによるウェハの汚染を防止すると共にウェハに施す処理を均一化する。【解決手段】ウェハ処理槽10の下方には、超音波層30が設けられており、この超音波層30からウェハ処理槽10に超音波を誘導しながらウェハ40を処理する。また、ウェハ40の処理は、ウェハ40をウェハ処理槽10に完全に浸漬した状態で、ウェハ回転ロッド53によりウェハ40を回転させながら行う。

請求項（抜粋）：

ウェハを処理液に浸漬して処理するウェハ処理装置であって、ウェハを処理液中に完全に浸漬し得る深さを有する処理槽と、ウェハホルダにより保持された1または複数のウェハを、該1または複数のウェハの重心の直下から外れた軸を中心として回転するウェハ回転部材により回転させるウェハ回転手段と、前記処理槽に超音波を誘導する超音波誘導手段と、を備えることを特徴とするウェハ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , B08B 3/12

FI (3件)：

H01L 21/304 341 T , H01L 21/304 341 M , B08B 3/12 C

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-257826
半導体ウエハを洗浄する装置と方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-098085 出願人：エムイーエムシー・エレクトロニック・マテリアルズ・インコーポレイテッド
特開平1-304733

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