特許

J-GLOBAL ID：200903012635412163

半導体用絶縁樹脂ペースト

発明者： 伊藤 慎吾 ,  大久保 光 ,  竹田 敏郎
出願人/特許権者： 住友ベークライト株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-271117
公開番号（公開出願番号）：特開平10-120873
出願日： 1996年10月14日
公開日（公表日）： 1998年05月12日
要約：

【要約】【課題】 IC等の大型チップと銅フレームとの組み合わせでもチップクラックやチップの反りによるIC等の特性不良が生じず、かつ薄型パッケージでのヒートサイクルクラックが発生しない高信頼性の絶縁樹脂ペーストを提供する。【解決手段】 全エポキシ樹脂量中に低鎖長シロキサンユニットを含むエポキシ樹脂とビスフェノールFとのモル比が1〜3で反応してなる生成物を30重量%以上含み、エポキシ基を含有する分子量800以上の液状ポリブタジエンゴムが全樹脂中に10〜30重量%含まれており、イミダゾール化合物、シリカフィラーからなる半導体用絶縁樹脂ペースト。

請求項（抜粋）：

(A)全エポキシ樹脂量中に、下記式(1)で示されるエポキシ樹脂aモルとビスフェノールF、bモルとをa/b=1〜3で反応してなる生成物を30重量%以上含むエポキシ樹脂、【化1】(式中、R1,R2は2価の炭素数1〜5の脂肪族基、又は炭素数6以上の芳香族から2個の水素を除いた残基を示し、互いに同じであってもよい)(B)エポキシ基を含有する分子量800以上、2000以下の液状ポリブタジエン化合物、(C)イミダゾール化合物、(D)シリカフィラー、を必須成分とし、(B)/[(A)+(B)+(C)](重量比)が0.1〜0.3であることを特徴とする半導体用絶縁樹脂ペースト。

IPC (7件)：

C08L 63/00 ,  C08G 59/50 ,  C08K 3/36 ,  C08L 63/08 ,  C09J163/00 ,  C08G 59/14 ,  C08G 59/30

FI (7件)：

C08L 63/00 A ,  C08G 59/50 ,  C08K 3/36 ,  C08L 63/08 ,  C09J163/00 ,  C08G 59/14 ,  C08G 59/30

引用特許：

審査官引用 (3件)

• ダイボンディング材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-266190   出願人：住友ベークライト株式会社
• ダイボンディング材
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-160646   出願人：住友ベークライト株式会社
• 特開昭63-161015