特許
J-GLOBAL ID：200903012650813204

高周波半導体装置

発明者：
松本 成仁

松本 成仁 について


出願人/特許権者：
三洋電機株式会社

三洋電機株式会社 について


代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-136719
公開番号（公開出願番号）：特開平9-321057
出願日： 1996年05月30日
公開日（公表日）： 1997年12月12日
要約：
【要約】【課題】 高周波トランジスタの寄生MOS容量の低減化を行う。【解決手段】 一導電型の半導体基板21と、前記半導体基板21上に形成された一導電型のコレクタ層22と、前記コレクタ層22にLOCOS酸化膜23によって分離された素子領域内に形成された逆導電型のベース領域24と、前記ベース領域24に形成された一導電型のエミッタ領域25とを備え、前記LOCOS酸化膜23上にシリコン窒化膜26、及びシリコン酸化膜30が形成され、前記LOCOS酸化膜23上に前記ベース領域24、或いはエミッタ領域25と接続・延在されたボンディング用の電極パッド29が形成されたことを特徴とする。
請求項（抜粋）：
一導電型の半導体基板と、前記半導体基板上に形成された一導電型のコレクタ層と、前記コレクタ層にLOCOS酸化膜によって分離された素子領域内に形成された逆導電型のベース領域と、前記ベース領域に形成された一導電型のエミッタ領域とを備え、前記LOCOS酸化膜上にシリコン窒化膜、及びシリコン酸化膜が形成され、前記LOCOS酸化膜上に前記ベース領域、或いはエミッタ領域と接続・延在されたボンディング用の電極パッドが形成されたことを特徴とする高周波半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 21/331 ,  H01L 29/73
引用特許：
審査官引用 (3件)

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