マイクロエレクトロメカニカルデバイスの作製方法及びその作製装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-006659
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209088
出願日： 1997年01月17日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：

【要約】【課題】従来のマイクロエレクトロメカニカルデバイス作製方法及び作製装置は、エッチャントの二弗化キセノンで、素子の構造体として有用な、プラズマ励起型化学的気相成長法によって形成された酸化珪素または窒化珪素を溶解してしまうという問題点があった。【解決手段】二弗化キセノンに水分を添加したものをエッチャントとする。また、作製装置には、二弗化キセノンに水分を添加して反応室1に導入する中間準備室6を設ける。

請求項（抜粋）：

珪素からなる基板を含んだ加工部材を希ガスの弗化物からなるエッチャントを用いて上記珪素の一部を除去し上記加工部材内に中空構造を形成するマイクロエレクトロメカニカルデバイス作製方法において、上記エッチャントに水分を添加することを特徴とするマイクロエレクトロメカニカルデバイス作製方法。

IPC (3件)：

H01L 21/302 , C23F 4/00 , H01L 49/00

FI (3件)：

H01L 21/302 Z , C23F 4/00 A , H01L 49/00 Z

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平4-096222
特開平2-049425
特開平2-187025

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