特許

J-GLOBAL ID：200903012669327572

平面表示装置およびその製造方法

発明者： 西 部 徹
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 吉武 賢次 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-198891
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017703
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】 デバイスパラメータを精確に制御して回路動作の安定性を確保と製品の歩留まりを向上させる。【解決手段】 平面表示部とその周囲に設けられて表示部を駆動する駆動回路とを備え、駆動回路は、平面表示部が形成された基板上にNch-TFTとPch-TFTの両方を含み、双方のTFTは同一基板濃度のチャンネル領域を有し、双方のゲート長は回路動作の安定に充分な短い所定の長さを有する。Nch-TFTとPch-TFTのゲート電圧の変化に対するドレイン電流の変化の特性曲線が双方の特性曲線の交点のゲート電圧値を中心値として実質的に対称で、両特性曲線における所定のドレイン電流に対する双方のゲート電圧値をスイッチング動作のしきい値である場合に双方のしきい値の差がTFTのオン抵抗を十分に小さくできる範囲内にあり、一方のしきい値と中心値との差の絶対値と他方の前記しきい値と前記中心値との差の絶対値とが実質的に等しくなる。

請求項（抜粋）：

平面表示部と、この平面表示部の周囲に設けられてこの平面表示部を駆動する駆動回路とを備える平面表示装置において、前記駆動回路が、前記平面表示部が形成された基板上にNチャンネル薄膜トランジスタとPチャンネル薄膜トランジスタの両方から構成され、双方のトランジスタは同一の基板濃度のチャンネル領域を有すると共に双方のトランジスタのゲート長を回路動作を安定させるのに充分なくらい短い所定の長さを有し、NチャンネルおよびPチャンネル両薄膜トランジスタのゲート電圧の変化に対するドレイン電流の変化の特性曲線が双方の特性曲線の交点のゲート電圧値を中心値として実質的に対称となり、前記両特性曲線における所定のドレイン電流に対する双方のゲート電圧値をスイッチング動作のしきい値である場合に、双方のしきい値の差が薄膜トランジスタのオン抵抗を十分に小さくできる範囲内に設定され、一方の前記しきい値と前記中心値との差の絶対値と他方の前記しきい値と前記中心値との差の絶対値とが実質的に等しくなるようなポリシリコンより成る半導体回路素子を少なくとも1つ備えることを特徴とする平面表示装置。

IPC (9件)：

H01L 29/786 ,  G02F 1/133 505 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1345 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 348 ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28

FI (10件)：

G02F 1/133 505 ,  G02F 1/1333 500 ,  G02F 1/1345 ,  G02F 1/1368 ,  G09F 9/00 348 C ,  G09F 9/30 338 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/28 Z ,  H01L 29/78 613 A ,  H01L 29/78 612 B

Fターム (87件)：

2H090JB01 ,  2H090JB02 ,  2H090JB03 ,  2H090LA01 ,  2H090LA04 ,  2H092GA50 ,  2H092GA60 ,  2H092JA24 ,  2H092JA37 ,  2H092JA46 ,  2H092JB57 ,  2H092KA04 ,  2H092KA05 ,  2H092MA27 ,  2H092MA30 ,  2H092NA21 ,  2H092NA25 ,  2H092NA29 ,  2H092PA01 ,  2H092PA06 ,  2H093NA16 ,  2H093NC09 ,  2H093NC11 ,  2H093NC16 ,  2H093NC22 ,  2H093NC24 ,  2H093NC34 ,  2H093ND41 ,  2H093ND42 ,  4M104AA01 ,  4M104AA09 ,  4M104CC05 ,  4M104DD06 ,  4M104DD37 ,  4M104DD61 ,  4M104EE03 ,  4M104EE06 ,  4M104GG09 ,  4M104GG10 ,  4M104HH14 ,  5C094AA15 ,  5C094AA42 ,  5C094BA03 ,  5C094BA21 ,  5C094BA43 ,  5C094CA19 ,  5C094DA09 ,  5C094DA14 ,  5C094DA15 ,  5C094DB04 ,  5C094EA04 ,  5C094EB02 ,  5F052AA02 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052EA15 ,  5F052JA01 ,  5F110AA08 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110BB04 ,  5F110CC02 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD11 ,  5F110EE02 ,  5F110FF02 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG28 ,  5F110GG32 ,  5F110GG51 ,  5F110HJ01 ,  5F110HJ12 ,  5F110HL02 ,  5F110HL23 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN36 ,  5F110PP03 ,  5G435AA17 ,  5G435AA18 ,  5G435BB01 ,  5G435BB12 ,  5G435EE33 ,  5G435EE37 ,  5G435GG21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 薄膜トランジスタの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-260311   出願人：株式会社東芝