特許
J-GLOBAL ID：200903012669920125

線状炭素材料の製造方法及び機能デバイスの製造方法

発明者：
丸山 竜一郎

丸山 竜一郎 について

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黄 厚金

黄 厚金 について

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野田 和宏

野田 和宏 について

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岩井 俊憲

岩井 俊憲 について


出願人/特許権者：
ソニー株式会社

ソニー株式会社 について


代理人 (1件)： 逢坂 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-248263
公開番号（公開出願番号）：特開2007-063034
出願日： 2005年08月29日
公開日（公表日）： 2007年03月15日
要約：
【課題】 低温でのPECVDを可能にして、ガラス基板等を使用して低価格で実施可能な線状炭素材料、及び機能デバイスの製造方法を提供すること。【解決手段】 触媒を用い、炭素を含む化合物からなる原料ガス(例えばCH4)をプラズマ化して、SWCNTなどの線状炭素材料を成長させる線状炭素材料の製造方法において、還元ガス(例えばH2)のプラズマを発生させ、このプラズマによって前記触媒を処理する第1の工程(手順4)と、前記原料ガスのプラズマを発生させ、前記線状炭素材料を成長させる第2の工程(手順5)とを有する。原料ガスのプラズマ中でPECVD反応を行う際、原料ガスのプラズマの発生に先立ち、触媒表面を還元ガスのプラズマにより処理して、触媒活性を高い状態に保持する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
触媒を用い、炭素を含む化合物からなる原料ガスをプラズマ化して、線状炭素材料を成長させる線状炭素材料の製造方法において、 還元ガスのプラズマを発生させ、このプラズマによって前記触媒を処理する第1の工 程と、 前記原料ガスのプラズマを発生させ、前記線状炭素材料を成長させる第2の工程と を有することを特徴とする、線状炭素材料の製造方法。
IPC (6件)：
C01B 31/02 ,  B01J 23/74 ,  B01J 37/18 ,  B01J 37/34 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (6件)：
C01B31/02 101F ,  B01J23/74 M ,  B01J37/18 ,  B01J37/34 ,  H01L29/78 618B ,  H01L29/78 618A
Fターム (39件)：
4G146AA11 ,  4G146AB05 ,  4G146AB06 ,  4G146AD24 ,  4G146AD28 ,  4G146BA12 ,  4G146BA48 ,  4G146BB22 ,  4G146BC09 ,  4G146BC17 ,  4G146BC25 ,  4G146BC32A ,  4G146BC33A ,  4G146BC33B ,  4G146BC44 ,  4G146DA03 ,  4G146DA16 ,  4G169AA03 ,  4G169BB02A ,  4G169BC65A ,  4G169CB81 ,  4G169DA06 ,  4G169EA08 ,  4G169FA08 ,  4G169FB44 ,  4G169FB58 ,  4G169FC07 ,  5F110AA17 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110FF02 ,  5F110GG01 ,  5F110GG28 ,  5F110GG45 ,  5F110GG57 ,  5F110QQ09 ,  5F110QQ14 ,  5H018AA01 ,  5H018EE05
引用特許：
出願人引用 (2件) 審査官引用 (2件)

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