特許

J-GLOBAL ID：200903012682774103

太陽電池およびその製造方法

発明者： 井本 純平
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-252470
公開番号（公開出願番号）：特開2006-073617
出願日： 2004年08月31日
公開日（公表日）： 2006年03月16日
要約：

【課題】 従来のような不具合が起こることがない高効率な太陽電池およびその製造方法を提供する。【解決手段】 基板表面の少なくとも一部に、2層の酸化シリコン膜からなるパッシベーション膜を有する太陽電池、および、基板表面の少なくとも一部に、2層の酸化シリコン膜からなるパッシベーション膜を有する太陽電池を、1層目の酸化シリコン膜を酸素雰囲気中において750〜1000°Cで20分〜1時間熱処理することにより形成することにより製造する、太陽電池の製造方法。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板表面の少なくとも一部に、2層の酸化シリコン膜からなるパッシベーション膜を有する太陽電池。

IPC (1件)：

H01L 31/04

FI (1件)：

H01L31/04 F

Fターム (13件)：

5F051AA02 ,  5F051BA18 ,  5F051CB12 ,  5F051CB20 ,  5F051CB24 ,  5F051DA03 ,  5F051EA11 ,  5F051FA06 ,  5F051GA04 ,  5F051GA15 ,  5F051HA03 ,  5F051HA05 ,  5F051HA20

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 宇宙用シリコン太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-320617   出願人：シャープ株式会社, 宇宙開発事業団
• 太陽電池素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-192859   出願人：京セラ株式会社
• 米国特許第492770号公報
  

審査官引用 (2件)

• 光電変換装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-033565   出願人：株式会社日立製作所
• 導電性組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-271921   出願人：ナミックス株式会社