特許
J-GLOBAL ID:200903098423289320

太陽電池素子およびその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-192859
公開番号(公開出願番号):特開平9-045945
出願日: 1995年07月28日
公開日(公表日): 1997年02月14日
要約:
【要約】【課題】 BSF層を微細なパターンに形成できると共に、シリコンウェハ裏面側のパシベーション効果も得られる太陽電池素子およびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 P-N接合部を有するシリコンウェハの裏面側にアルミニウムを拡散させた後、このシリコンウェハに表面電極と裏面電極を形成する太陽電池素子の製造方法において、前記シリコンウェハの裏面側にアルミニウムを拡散させる際に、多数の透孔部を有する窒化シリコン膜をマスクとして拡散させる。
請求項(抜粋):
P-N接合部を有するシリコンウェハの裏面側にアルミニウムを拡散させると共に、このシリコンウェハに表面電極と裏面電極を設けた太陽電池素子において、前記シリコンウェハの裏面側に多数の透孔部を有する窒化シリコン膜を設け、この透孔部に裏面電極を設けたことを特徴とする太陽電池素子。
FI (2件):
H01L 31/04 A ,  H01L 31/04 H
引用特許:
審査官引用 (7件)
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