特許

J-GLOBAL ID：200903012684424037

固体撮像素子及びその駆動方法

発明者： 岡田 ▲吉▼弘
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-242301
公開番号（公開出願番号）：特開2000-077646
出願日： 1998年08月27日
公開日（公表日）： 2000年03月14日
要約：

【要約】【課題】 フレーム転送方式の固体撮像素子で、撮像部から蓄積部への情報電荷の転送効率の劣化を防止する。【解決手段】 N型のシリコン基板11に、素子領域となるP型の拡散層12を形成し、この拡散層12上に各転送電極13i、13s、13hを形成し、撮像部、蓄積部、水平転送部を構成する。拡散層12の撮像部領域12i及び蓄積部領域12sは、不純物濃度が均一に形成され、水平転送部領域12hは、撮像部領域12i及び蓄積部領域12sよりも不純物濃度が高く形成される。

請求項（抜粋）：

一導電型の半導体基板の一主面に逆導電型の半導体層が形成され、この半導体層内に、複数の受光画素が行列配置されて各受光画素に情報電荷を蓄積する撮像部と、上記撮像部に隣接して配置されて上記複数の受光画素に蓄積された情報電荷を1画面単位で蓄積する蓄積部と、上記蓄積部に隣接して配置されて上記蓄積部に蓄積された情報電荷を1行単位で取り出す水平転送部と、が形成されるフレーム転送方式の固体撮像素子において、上記半導体層の上記撮像部及び上記蓄積部が形成される領域は、互いに同一の不純物濃度を有し、上記半導体層の上記水平転送部が形成される領域は、上記撮像部及び上記蓄積部が形成される領域に比して高い不純物濃度を有することを特徴とする固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L 27/148 ,  H04N 5/335

FI (2件)：

H01L 27/14 B ,  H04N 5/335 F

Fターム (19件)：

4M118AA03 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA12 ,  4M118DB01 ,  4M118DB06 ,  4M118DB08 ,  4M118EA15 ,  4M118FA06 ,  4M118FA13 ,  4M118FA40 ,  4M118FA43 ,  5C024AA00 ,  5C024CA16 ,  5C024FA01 ,  5C024FA11 ,  5C024GA15 ,  5C024JA10 ,  5C024JA21

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 固体撮像装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-200723   出願人：日本電気株式会社