半導体メモリ装置の感知増幅器回路

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：萩原誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-269303
公開番号（公開出願番号）：特開2001-101885
出願日： 2000年09月05日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】オン/オフセル感知マージンが保証される半導体メモリ装置の感知増幅器回路を提供すること。【解決手段】オンセル電流Ionを流すただ一つのトランジスタでダミーメモリセルトランジスタDMCを実現するとともに、同一の特性及びサイズを有する2個のダミーロードトランジスタMP10,MP12を用いてオンセル電流に相応する電流をダミーデータラインDDLに供給し、かつ前記ダミーロードトランジスタMP10,MP12にカレントミラー形態でメインロードトランジスタMP14を接続し、オンセル電流の中間値を有する電流がメインロードトランジスタMP14からデータラインDLへ供給されるようにする。

請求項（抜粋）：

メモリセルのロージック状態を判別するための感知増幅器回路において、前記メモリセルに連結された第1データラインと、ダミーメモリセルに連結された第2データラインと、前記第1データラインに連結され、前記第1データラインへ第1充電電流を供給する第1ロード手段と、前記第2データラインに連結され、前記第2データラインへ前記第1充電電流の2倍に相当する量の第2充電電流を供給する第2ロード手段とを含むことを特徴とする半導体メモリ装置の感知増幅器回路。

IPC (2件)：

G11C 16/06 , G11C 17/18

FI (2件)：

G11C 17/00 634 E , G11C 17/00 306 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

EPROMセル読み取り回路
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-346044 出願人：エスジーエス-トムソンマイクロエレクトロニクスエッセエッレエーレ
特開昭62-140298
半導体メモリ用センスアンプ
公報種別：公開公報出願番号：特願平4-216140 出願人：日本電装株式会社

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