特許

J-GLOBAL ID：200903012705198393

エッチング方法及び半導体装置の製造方法

発明者： 植田 慶一 ,  柴田 清司
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 岡田 敬
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-203473
公開番号（公開出願番号）：特開平8-153714
出願日： 1995年08月09日
公開日（公表日）： 1996年06月11日
要約：

【要約】【課題】 レジストを硬化して対レジスト選択比を高めること。【解決手段】 マスクとしてのフォトレジスト7に燐イオンを導入することによって、レジスト7の表面層が硬化し、対レジスト選択比が高まるので、簡単な工程で効果的なエッチングを行うことができる。特に、フォトレジスト7に対し、イオン種として燐イオンを用い、イオン注入法により、ドーズ量0.5×1015cm-2以上で注入することで、イオン注入後のレジスト膜厚の減少を抑制でき、且つ、Alなどの金属配線層6における対レジスト選択比が実質的にさらに高くなる。

請求項（抜粋）：

イオンが導入されたフォトレジストをマスクとして、マスク下の層をエッチングするエッチング方法。

IPC (5件)：

H01L 21/3065 ,  C23F 1/00 102 ,  C23F 4/00 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/027

FI (2件)：

H01L 21/302 H ,  H01L 21/30 570

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平3-019334
  
• 特開平3-254124
  
• ドライエッチング方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-236271   出願人：ソニー株式会社
• 特開平3-019334
  
• 特開平3-254124