特許

J-GLOBAL ID：200903012726206191

半導体チップの外観検査方法および装置

発明者： 西村 秀年 ,  城内 雄一
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-333166
公開番号（公開出願番号）：特開平7-190739
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月28日
要約：

【要約】【目的】 比較基準用チップと検査対象チップとを所定の照明レベルで撮像して、上記比較基準用チップの画像と上記検査対象チップの画像とを比較して欠陥を求める場合に、正確な欠陥判定を行うことができる半導体チップの外観検査方法を提供する。【構成】 照明レベルを複数設定して、複数の照明レベルL1,L2で得た比較基準用チップの画像と検査対象チップの画像とに基づいて欠陥を求める。また、上記比較基準用チップおよび検査対象チップの表面を、それぞれ反射率に応じて複数の分割領域に区画し、上記各分割領域毎に上記比較基準用チップの画像と検査対象チップの画像を比較する。

請求項（抜粋）：

比較基準用チップと検査対象チップとを所定の照明レベルで撮像して、上記比較基準用チップの画像と上記検査対象チップの画像とを比較して欠陥を求める半導体チップの外観検査方法において、上記比較基準用チップの画像が示す平均濃淡レベルと上記検査対象チップの画像が示す平均濃淡レベルとの差を求め、この差を解消するように、上記検査対象チップの画像の濃淡レベルをシフトさせるオフセット補正を行うことを特徴とする半導体チップの外観検査方法。

IPC (4件)：

G01B 11/24 ,  G01N 21/88 ,  G06T 7/00 ,  H01L 21/66

引用特許：

審査官引用 (1件)

• パターン認識方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-040507   出願人：株式会社不二越