特許
J-GLOBAL ID：200903012738483492
半田ワイヤ及び半田バンプ電極並びに半田バンプ電極の製造方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早川 政名
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-149277
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017836
出願日： 1994年06月30日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：
【要約】【目的】ICチップAl電極上の半田バンプをリフロー処理するに際して、Al電極上に別工程で皮膜形成を行う工程を省略しても、リフロー処理による接合強度の劣化が小さいバンプ電極を提供する。【構成】Pb,Sn,Inの内少なくとも1種を主要元素とし、且つCu(0.01〜5.0重量%),Ni(0.01〜5.0重量%),Zn(0.01〜5.0重量%)から選ばれる2種以上を含有した半田ワイヤを用いて、ICチップ1のAl電極2上に半田バンプ3を形成し、この半田バンプ3を介してICチップ1と基板4の電極2,5を接合した。この時、半田バンプ3をリフロー処理して電極2,5間の位置ずれを修正し、ICチップ1と基板4の接合不良を防止する。半田バンプ3はリフロー処理を行っても剪断強度の劣化を低く抑えることが出来、実用可能な剪断強度を得ることが出来た。
請求項（抜粋）：
半田材料の組成が下記〔組成I〕であり、ICチップAl電極上でリフローさせた後の剪断強度が19MPa以上であることを特徴とするICチップバンプ電極用半田ワイヤ。〔組成I〕Pb,Sn,Inの内少なくとも1種を主要元素とし、且つ、Cu(0.01〜5.0重量%),Ni(0.01〜5.0重量%),Zn(0.01〜5.0重量%)から選ばれる2種以上を含有する。
FI (2件)：
H01L 21/92 F
, H01L 21/92 C
