特許

J-GLOBAL ID：200903012738634458

単結晶シンチレーター

発明者： 上田 俊輔 ,  石橋 浩之 ,  蔵重 和央 ,  金子 純一 ,  樋口 幹雄 ,  川村 宗範 ,  佐伯 掌平
出願人/特許権者： 日立化成工業株式会社 ,  国立大学法人 北海道大学
代理人 (2件)： 長谷川 芳樹 ,  清水 義憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-050385
公開番号（公開出願番号）：特開2009-074039
出願日： 2008年02月29日
公開日（公表日）： 2009年04月09日
要約：

【課題】アパタイト相が実質的に存在せず、蛍光強度が十分に大きく、蛍光減衰時間が十分に短い単結晶シンチレーターを提供すること。【解決手段】下記の一般式(1)で表される組成を有し、光、電子線及び/又は放射線刺激に対して発光する単結晶を備える単結晶シンチレーター。 (Gd1-xCex)2Si2O7 (ただし、0 請求項（抜粋）：

下記の一般式(1)で表される組成を有し、光、電子線及び/又は放射線刺激に対して発光する単結晶を備える単結晶シンチレーター。 (Gd1-xCex)2Si2O7 (ただし、0 IPC (7件)：

C09K 11/79 ,  C30B 29/34 ,  C01B 33/12 ,  G01T 1/202 ,  G01T 1/20 ,  C04B 35/50 ,  C09K 11/00

FI (7件)：

C09K11/79 ,  C30B29/34 Z ,  C01B33/12 A ,  G01T1/202 ,  G01T1/20 B ,  C04B35/50 ,  C09K11/00 E

Fターム (28件)：

2G088GG10 ,  2G088JJ37 ,  4G072AA38 ,  4G072BB11 ,  4G072BB12 ,  4G072GG02 ,  4G072GG03 ,  4G072HH14 ,  4G072JJ26 ,  4G072LL02 ,  4G072LL11 ,  4G072MM26 ,  4G072MM38 ,  4G072NN03 ,  4G072RR21 ,  4G072UU30 ,  4G077AA02 ,  4G077BD15 ,  4G077CE03 ,  4G077EC07 ,  4G077HA02 ,  4H001CA02 ,  4H001CA08 ,  4H001XA08 ,  4H001XA14 ,  4H001XA58 ,  4H001XA64 ,  4H001YA58

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 蛍光体組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-278702   出願人：日立化成工業株式会社

引用文献：

審査官引用 (3件)

• FZ法によるCeドープGdパイロシリケイト単結晶育成とシンチレーション特性評価
• CeドープGd2Si2O7単結晶育成とシンチレーション特性
• CeドープGd2Si2O7単結晶育成とシンチレーション特性