特許

J-GLOBAL ID：200903012749169340

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 浦岡 行治 ,  山口 彩子 ,  川村 哲也 ,  小林 郁典
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 池内 寛幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-308466
公開番号（公開出願番号）：特開平10-150201
出願日： 1996年11月19日
公開日（公表日）： 1998年06月02日
要約：

【要約】【課題】 LDD領域形成用のレジストマスクを用いる必要なく、簡便な工程でLDD構造を備えた薄膜トランジスタを製造できる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【解決手段】 基板10上にポリシリコン薄膜50、ゲート絶縁膜60及びゲート電極70を順次形成した後、ゲート電極70が被覆されるように絶縁膜80を堆積形成する。この絶縁膜80にこれの上方から異方性エッチングを施し、ゲート電極70の表面が現れたところでエッチングをストップさせると、ゲート電極の側面に沿ってサイドウオール85が形成される。この後、基板10の上方からゲート絶縁膜60及びサイドウオール85を通してイオン注入すると、ポリシリコン薄膜50にソース・ドレイン領域(不純物拡散層)100とLDD領域110が同時に形成される。

請求項（抜粋）：

ガラス基板上に形成されたポリシリコン薄膜が覆われるように前記ガラス基板の全面に対してゲート絶縁膜を形成し、次いで前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成した後、前記ゲート電極の側面に沿ってサイドウオールを形成し、しかる後、前記ガラス基板の上方から前記ゲート絶縁膜及びサイドウオールを通して前記ポリシリコン薄膜に不純物をドーピングして、前記ポリシリコン薄膜にドレイン領域とLDD(lightly doped drain)領域を同時に形成する薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/336 ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/00

FI (3件)：

H01L 29/78 616 A ,  G02F 1/136 500 ,  G09F 9/00