特許
J-GLOBAL ID：200903012766739869

表示装置

発明者：
大植 栄司

大植 栄司 について

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海東 拓生

海東 拓生 について

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三宅 秀和

三宅 秀和 について

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宮沢 敏夫

宮沢 敏夫 について

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高品 雄一郎

高品 雄一郎 について


出願人/特許権者：
株式会社 日立ディスプレイズ

株式会社 日立ディスプレイズ について


代理人 (1件)： 小林 保
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-234836
公開番号（公開出願番号）：特開2009-070861
出願日： 2007年09月11日
公開日（公表日）： 2009年04月02日
要約：
【課題】ゲート絶縁膜に異物の侵入あるいは汚染を回避させた薄膜トランジスタを備える表示装置の提供。スルーホールを通した電気的接続に信頼性を向上させた表示装置の提供。【解決手段】基板に薄膜トランジスタが形成された表示装置であって、 前記薄膜トランジスタとして、前記基板上にゲート電極を被って形成されるシリコン窒化膜に選択的に形成されたシリコン酸化膜を備え、 少なくとも前記シリコン酸化膜の上面に形成された擬似単結晶層あるいは多結晶層を含む半導体層を備え、 該半導体層の上面にコンタクト層を介してドレイン電極およびソース電極が形成されて構成され、 前記擬似単結晶層あるいは多結晶層はアモルファスシリコン層の結晶化によって形成されているとともに、その周側壁面はその下層の前記シリコン酸化膜の周側壁面と段差を有することなく連続した構成からなるものを含む。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
基板に薄膜トランジスタが形成された表示装置であって、 前記薄膜トランジスタとして、前記基板上にゲート電極を被って形成されるシリコン窒化膜に選択的に形成されたシリコン酸化膜を備え、 少なくとも前記シリコン酸化膜の上面に形成された擬似単結晶層あるいは多結晶層を含む半導体層を備え、 該半導体層の上面にコンタクト層を介してドレイン電極およびソース電極が形成されて構成され、 前記擬似単結晶層あるいは多結晶層はアモルファスシリコン層の結晶化によって形成されているとともに、その周側壁面はその下層の前記シリコン酸化膜の周側壁面と段差を有することなく連続した構成からなるものを含むことを特徴とする表示装置。
IPC (2件)：
H01L 29/786 ,  G02F 1/136
FI (4件)：
H01L29/78 617U ,  H01L29/78 612B ,  H01L29/78 618C ,  G02F1/1368
Fターム (37件)：
2H092JA27 ,  2H092JA34 ,  2H092JA46 ,  2H092KA03 ,  2H092KA04 ,  2H092KA12 ,  2H092MA17 ,  2H092NA29 ,  5F110AA30 ,  5F110BB02 ,  5F110CC07 ,  5F110DD02 ,  5F110EE06 ,  5F110EE44 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF09 ,  5F110FF12 ,  5F110FF29 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG22 ,  5F110GG24 ,  5F110GG44 ,  5F110HK09 ,  5F110HK16 ,  5F110HK21 ,  5F110HK34 ,  5F110NN02 ,  5F110NN24 ,  5F110NN35 ,  5F110NN77 ,  5F110NN78 ,  5F110PP03 ,  5F110QQ09
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)

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