絶縁ゲイト型半導体装置およびその作製方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-232551
公開番号（公開出願番号）：特開平10-065162
出願日： 1996年08月13日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】【課題】短チャネル効果を防止しつつチャネル長の短い微細な半導体装置を実現する。【解決手段】チャネル形成領域103に対してチャネル方向(電界方向)と平行に線状パターン形状を有する不純物領域104を形成する。この不純物領域104がドレイン側空乏層の広がりを抑え、かつ、狭チャネル効果を起こして短チャネル効果を防止する。また、チャネル形成領域103において、不純物領域104はエネルギー的にキャリアの移動経路を一方向に規定し、キャリア同士の不規則な衝突による散乱を抑制する。

請求項（抜粋）：

結晶半導体を利用して形成されたソース領域、ドレイン領域およびチャネル形成領域と、前記チャネル形成領域上に形成されたゲイト絶縁膜およびゲイト電極と、を少なくとも有する絶縁ゲイト型半導体装置であって、前記チャネル形成領域はキャリアが移動する領域と、前記ドレイン領域より前記チャネル形成領域およびソース領域に向かって広がる空乏層をピニングし、かつ、キャリアの移動経路を規定するために人為的かつ局部的に形成された不純物領域と、を有することを特徴とする絶縁ゲイト型半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 301 H , H01L 29/78 301 Y

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開昭53-068177
特開昭54-157481
電界効果トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-039691 出願人：日本電気株式会社

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