特許
J-GLOBAL ID：200903012831277916
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-263451
公開番号（公開出願番号）：特開2001-085629
出願日： 1999年09月17日
公開日（公表日）： 2001年03月30日
要約：
【要約】【課題】低コストで、検出スピードが速く、高精度で、外部に温度信号を取り出せる温度検出センサ付き半導体装置を提供すること。【解決手段】上アームIGBT1の温度検出センタとして、上アームpnダイオード6を用い、このpnダイオード6に定電流回路10により一定の電流を流して、pnダイオード6のオン電圧を温度信号として、端子21から外部に取り出す。このpnダイオード6は、IGBT1を形成する半導体基板上に酸化膜を介して形成され、この酸化膜の膜厚をIGBTの定格電圧で絶縁破壊しない厚さに設定することで、pnダイオード6のカソード8をIGBT1のエミッタ端子Eと接続させずに、GNDに接続できるようになり、従来必要とされたレベルダウン回路を削除して、外部に温度信号を容易に取り出すこができる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面に形成された温度検出センサが、該半導体基板の回路系の基準電位と異なる基準電位を有する回路系に電気的に接続することを特徴とする半導体装置。
IPC (5件)：
H01L 27/04
, H01L 21/822
, G01K 7/01
, H01L 29/78
, H01L 35/00
H01L 27/04 H
, H01L 35/00 S
, G01K 7/00 391 C
, H01L 29/78 657 A
2F056JT06
, 2F056JT08
, 5F038AZ08
, 5F038AZ10
, 5F038BH02
, 5F038BH04
, 5F038BH16
, 5F038DF14
, 5F038EZ20
