特許

J-GLOBAL ID：200903012832389670

半導体装置の製造方法

発明者： 宮▲崎▼ 和樹 ,  善家 昌伸
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 後藤 洋介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305647
公開番号（公開出願番号）：特開平9-148328
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 金属配線のうち下層の高融点金属層のバリア性が高く、耐熱性が高く後工程での熱処理で金属配線上の層間膜の平坦化が容易に行える半導体装置の製造方法を提供することである。【解決手段】 コンタクト孔3開口後、高融点バリア金属膜5を段差被覆性のよい化学気相成長法により、非晶質あるいは微細結晶状態で形成して、高融点金属配線7を形成して、その後BPSG膜8を形成し、熱処理によりリフローすることでBPSG膜8を平坦化する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けた所望の回路と、前記回路を含む表面に設けた層間膜と、前記層間膜に設けたコンタクト孔と、前記コンタクト孔の下層の回路とを接続する二層以上の高融点金属配線を有する半導体装置の製造方法において、前記二層以上の高融点金属配線のうちの一層を、化学気相成長法により非晶質状態あるいは微細結晶状態の高融点金属膜で形成する工程と、前記二層以上の高融点金属配線形成後にBPSG膜を形成する工程と、熱処理により前記BPSG膜をリフローさせる工程を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/28 301 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/768

FI (6件)：

H01L 21/88 R ,  H01L 21/28 301 R ,  H01L 21/316 G ,  H01L 21/88 M ,  H01L 21/88 K ,  H01L 21/90 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 窒化チタン膜の成膜方法および半導体装置の製造方法ならびに半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-257609   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平4-087328
  
• 特開平4-267359