特許
J-GLOBAL ID：200903012845591222

半導体装置の保管方法および半導体装置の製造方法

発明者：
宮田 毅

宮田 毅 について

, 
加古 浩二

加古 浩二 について

, 
青木 則茂

青木 則茂 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  内藤 浩樹 ,  永野 大介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-154289
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340332
出願日： 2004年05月25日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：
【課題】待ち工程での保管中に半導体ウエハに付着する水分・有機物等の汚染を簡便な構成で防止する半導体装置の保管方法及び製造方法を提供する。【解決手段】半導体ウエハを収納した半導体装置用収納カセット101をポッド102内に収納し、さらにポッド102を保管庫105内で保管する。ポッド102内は高純度N2ガス雰囲気で2Paの圧力に保たれており、保管庫105内はケミカルフィルタ108とパーティクル除去フィルタ109を通して導入された高純度N2ガス雰囲気で内部の圧力はポッド内圧力より高い3Pa〜10Paの範囲内に保たれている。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
着脱可能な蓋と一面が開放面を有する筐体とを密着もしくは嵌合させたポッド内に前記基板を収納する工程と、 第1の不活性ガスを導入して前記ポッド内を前記不活性ガス雰囲気にする工程と、 前記不純物ガスよりも高純度に精製された第2の不活性ガス雰囲気に保たれた保管庫内に前記ポッドを収納して保管する工程を備えた半導体装置の保管方法。
IPC (1件)：
H01L21/68
FI (1件)：
H01L21/68 T
Fターム (7件)：
5F031CA02 ,  5F031DA08 ,  5F031DA17 ,  5F031FA01 ,  5F031NA04 ,  5F031NA20 ,  5F031PA26
引用特許：
出願人引用 (1件) 審査官引用 (3件)
  • 二重シール容器構造
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-350991   出願人：株式会社荏原製作所
  • ウェハー保管装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-158539   出願人：全協化成工業株式会社
  • FOUP内ガス置換装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-321820   出願人：上村正

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