特許
J-GLOBAL ID:200903012849272881
磁気抵抗効果素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
京本 直樹 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-105029
公開番号(公開出願番号):特開平8-297814
出願日: 1995年04月28日
公開日(公表日): 1996年11月12日
要約:
【要約】【目的】 強磁性磁気抵抗効果を用いて磁界検出を行うMR素子において、従来問題となっていた素子出力上のヒステリシスやバルクハウゼンノイズを解消し、良好な線形応答出力を実現する。【構成】 本発明のMR素子の構成においては、基板上に楕円板形状に加工された感磁層、矩形に加工されたシャント層と、同じく矩形に加工されたバイアス磁界印加用のソフトフィルムバイアス層、および電極層が積層されている。感磁層を流れるセンス電流が形成する磁界によってソフトフィルムバイアス層の磁化が電流と直交する方向に飽和し、この飽和磁化によって感磁層にバイアス磁界が印加されることになる。この際、感磁層が楕円板形状であるため感磁層内部に発生する磁界の大きさが一定となり均一なバイアス状態が実現される。従って、外部信号磁界が同素子に作用した際には、感磁層内の磁化が一斉に均一回転応答を行い、その結果、ヒステリシスやバルクハウゼンノイズのない良好な線形応答出力が得られることになる。
請求項(抜粋):
磁気抵抗効果を有する強磁性体からなる感磁層と、前記感磁層にバイアス磁界を印加するためのバイアス層と、前記感磁層と前記バイアス層の間に設けられる導電体または絶縁体からなるシャント層と、前記感磁層および前記バイアス層に電流を通すための導電体からなる電極層とを有する磁気抵抗効果素子において、前記感磁層が楕円板形状を有することを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (3件):
G11B 5/39
, G01R 33/09
, H01L 43/08
FI (3件):
G11B 5/39
, H01L 43/08 Z
, G01R 33/06 R
引用特許: