特許

J-GLOBAL ID：200903012883834260

光学導波路内の高伝導埋込層

発明者： ボジート ロバート ジョン ,  ナヤー ヴィーシャル
出願人/特許権者： イギリス国
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-542085
公開番号（公開出願番号）：特表2001-526797
出願日： 1998年02月24日
公開日（公表日）： 2001年12月18日
要約：

【要約】多層構造であり、ウェーハ接合により形成されており、二酸化シリコン層(304)と、埋込ケイ化物層(306)と、接点層(308)と、シリコン表面層(310)とをこの順に含む光学デバイス(300)である。表面層(310)は選択的にエッチングされ露出リブ(312)が形成される。リブ(312)の上面はドープされそれに沿って細長い電極(314)が形成される。表面層(310)は、リブ(312)から離れた領域において接点層(308)まで選択的にエッチングされ、接点層(308)との電気的接続を行うためのバイアチャネル(316a、316b)が形成される。リブ(312)は放射線が伝播する導波路を形成する。接点層(308)に対し電極(314)にバイアスがかけられると、電荷がリブ(312)内へ注入され、放射線の大部分が伝播するリブ(312)の中心領域(324)に屈折率変化を誘起する。ケイ化物層(306)はキャリアを注入するための効率的な電流伝導経路を提供し、これによりデバイスの作動帯域幅を強化し、電力消費を低減する。

請求項（抜粋）：

放射線伝播のためのアクティブ領域(108;312;408;512)と 、電荷キャリアを前記アクティブ領域に注入するための注入手段(110;2 02,204;410,414;514,520)とを有する光学デバイスに おいて、前記注入手段が接合されたウェーハ対の2つのウェーハ要素の間に高 伝導埋込層(104;202;306,308;402;506)を含んでお り、前記デバイスが埋込層とアクティブ領域の間に電荷キャリアをアクティブ 領域に集中させるための集中手段(204;414)を含んでいることを特徴 とするデバイス。

IPC (2件)：

G02F 1/025 ,  G02F 1/313

FI (2件)：

G02F 1/025 ,  G02F 1/313

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 非線形光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-335202   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-228634
  

審査官引用 (3件)

• 特開平2-228634
  
• 非線形光学装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-335202   出願人：富士通株式会社
• 特開平2-228634