特許
J-GLOBAL ID:200903012892264124

半導体装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 前田 弘 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-344206
公開番号(公開出願番号):特開2002-313771
出願日: 2001年11月09日
公開日(公表日): 2002年10月25日
要約:
【要約】【課題】 排気管からの排気気体の漏洩を防止するための排気装置を有する半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】 排気管1には、開閉弁3を回動するための回転軸2を支持する回転取り出し部1bが設けられている。回転軸2は排気管1の外方まで延びており、回転軸2には排気管1の外方から内部に延びる導入孔7及び分岐孔7bが設けられている。回転軸取り出し部1bと回転軸2との間の隙間6bに、導入孔7及び分岐孔7bを経てパージガスが導入される。また、隙間6bには、導入孔7及び分岐孔7bを経て純水が供給される。パージガスにより、排気管1中の排気用気体が外部に漏洩するのを防止し、純水により異物の固着を防止する。
請求項(抜粋):
ウェハを処理するための処理装置と、該処理装置に接続される排気管と、該排気管の開口面積を可変に調整するための排気圧力調整部を有する排気装置とを備えている半導体製造装置を用いた半導体装置の製造方法において、上記処理部において、薬液を用いて上記ウェハを洗浄するステップ(a)と、上記ステップ(a)の後、上記処理部において、上記ウェハの水すすぎを行なうステップ(b)と、上記ステップ(b)の後、上記処理部において、上記ウェハを乾燥させるステップ(c)とを含み、上記ステップ(a)において、上記排気管の上記排気圧力調整部にパージガスを導入することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (6件):
H01L 21/304 648 ,  H01L 21/304 643 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 651 ,  B05D 3/02 ,  B05D 3/10
FI (6件):
H01L 21/304 648 L ,  H01L 21/304 643 A ,  H01L 21/304 643 Z ,  H01L 21/304 651 H ,  B05D 3/02 Z ,  B05D 3/10 F
Fターム (6件):
4D075BB24Z ,  4D075BB65X ,  4D075DA06 ,  4D075DC22 ,  4D075EA05 ,  4D075EB01
引用特許:
審査官引用 (4件)
  • 半導体洗浄装置の排気ガス制御機構
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平4-335096   出願人:日立電子エンジニアリング株式会社
  • 特開平2-039531
  • 高温用弁
    公報種別:公開公報   出願番号:特願平9-097824   出願人:株式会社クボタ
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