特許

J-GLOBAL ID：200903012893334584

酸化・窒化絶縁薄膜の形成方法

発明者： 西澤 潤一 ,  倉林 徹 ,  吉田 孝
出願人/特許権者： 財団法人半導体研究振興会
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-436319
公開番号（公開出願番号）：特開2005-175408
出願日： 2003年12月05日
公開日（公表日）： 2005年06月30日
要約：

【課題】 本発明は、絶縁膜の高品質を保ちつつプロセス温度を低温化し原子レベルの膜厚制御性を実現する。【解決手段】 本発明の酸化・窒化絶縁薄膜の形成方法は、酸化・窒化絶縁膜主材料ガスと、予め活性化した酸化性(窒化も含む)ガスの交互供給によって反応させ、半導体装置の基板上に酸化・窒化絶縁薄膜を形成する方法に関する。【選択図】 図5

請求項（抜粋）：

基板上に酸化・窒化絶縁薄膜を形成する工程において、前記酸化・窒化絶縁膜主材料ガスと、予め活性化した酸化性(窒化も含む)ガスを交互供給によって反応させ成膜する過程で、予め活性化した希ガスを導入することを特徴とする酸化・窒化絶縁薄膜の形成方法。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  H01L21/318 B ,  H01L29/78 301G

Fターム (20件)：

5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BC02 ,  5F058BC08 ,  5F058BC11 ,  5F058BD01 ,  5F058BF07 ,  5F058BF22 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF30 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ10 ,  5F140AA00 ,  5F140AA40 ,  5F140BD07 ,  5F140BD11 ,  5F140BE05 ,  5F140BE07 ,  5F140BE08

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-282673   出願人：株式会社日立国際電気