特許

J-GLOBAL ID：200903012900115966

集積型窒化物半導体発光素子

発明者： 楠瀬 健 ,  豊田 達憲 ,  仁木 勇 ,  庄野 博文 ,  若木 貴功 ,  森 誠一郎
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
代理人 (1件)： 豊栖 康弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-203988
公開番号（公開出願番号）：特開2002-026384
出願日： 2000年07月05日
公開日（公表日）： 2002年01月25日
要約：

【要約】【課題】 大面積でかつ発光効率の良い集積型窒化物半導体発光素子を提供する。【解決手段】 基板上に複数の発光素子が並置されてなり、各発光素子は、基板上に形成されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層が分離溝によって分離されてなる長方形のn層と、長方形のp型窒化ガリウム系化合物半導体が、その一方の長辺と2つの短辺とがそれぞれn層の一方の長辺と2つの短辺と近接するようにn層上に設けられて成るp層と、n層の他方の長辺とp層の他方の長辺との間のn層上に設けられ、p層の長辺と実質的に同一の長さを有するn側オーミック電極と、p層上のほぼ全面に形成されたpオーミック電極と、pオーミック電極上に、p層の一方の長辺に沿って設けられたpパッド電極とを備え、p層の一方の長辺とn側オーミック電極との間隔を250μm以下に設定した。

請求項（抜粋）：

基板上に複数の発光素子が並置されてなり、上記発光素子はそれぞれ、上記基板上に形成されたn型窒化ガリウム系化合物半導体層が分離溝によって分離されてなる長方形のn層と、長方形のp型窒化ガリウム系化合物半導体が、その一方の長辺と2つの短辺とがそれぞれ上記n層の一方の長辺と2つの短辺と近接するように上記n層上に設けられて成るp層と、上記各n層の他方の長辺と上記p層の他方の長辺との間のn層上に設けられ、上記p層の長辺と実質的に同一の長さを有するn側オーミック電極と、上記p層上のほぼ全面に形成されたpオーミック電極と、上記pオーミック電極上に、上記p層の一方の長辺に沿って設けられたpパッド電極とを備え、上記p層の一方の長辺と上記n側オーミック電極との間隔を250μm以下に設定したことを特徴とする集積型窒化物半導体発光素子。

Fターム (11件)：

5F041AA03 ,  5F041AA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F041CA73 ,  5F041CA82 ,  5F041CA92 ,  5F041CB23

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 発光部品
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-331083   出願人：三洋電機株式会社
• 半導体発光装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-117577   出願人：京セラ株式会社