半導体発光装置

発明者：
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-117577
公開番号（公開出願番号）：特開平11-312824
出願日： 1998年04月27日
公開日（公表日）： 1999年11月09日
要約：

【要約】【課題】ワイヤボンディングの位置ずれによってショートが発生したり、フリップチップ時の導電性樹脂やペーストの流れ込みによってショートが発生するという問題があった。【解決手段】基板上に、一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層して設けて絶縁膜で被覆し、この基板の対向する端部近傍に共通電極を設けて第1の接続線を介して前記一導電型半導体層に接続し、この共通電極の内側に個別電極を設けて第2の接続線を介して前記逆導電型半導体層に接続した半導体発光装置において、前記共通電極、第1の接続線、および第2の接続線を100〜3400Åの膜厚を有する第2の絶縁膜で被覆した。

請求項（抜粋）：

基板上に、一導電型半導体層と逆導電型半導体層を積層して設けて絶縁膜で被覆し、この基板の対向する端部近傍に共通電極を設けて第1の接続線を介して前記一導電型半導体層に接続し、この共通電極の内側に個別電極を設けて第2の接続線を介して前記逆導電型半導体層に接続した半導体発光装置において、前記共通電極、第1の接続線、および第2の接続線を100〜3300Åの膜厚を有する第2の絶縁膜で被覆したことを特徴とする半導体発光装置。

引用特許：

審査官引用 (9件)

発光ダイオードアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-138441 出願人：京セラ株式会社
発光ダイオードアレイ
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-192857 出願人：京セラ株式会社
特開平3-087074

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