プラズマエッチング方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高橋光男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-152475
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017804
出願日： 1994年07月04日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】 Cl系やBr系ガスを用いてSi系材料層を多数枚連続的にプラズマエッチングする場合の、安定性と均一性を向上する。【構成】被エッチング基板1枚毎に、F系ガスによるプラズマ放電の前処理を施す。また単極式静電チャックを用いる場合には、同じくF系ガスによるプラズマ放電の後処理を施す。【効果】エッチングチャンバ内壁面に付着したSiClx 、SiBrx 等の反応生成物を除去するとともに、自然酸化膜のブレークスルーや残留電荷の除去を同時に行うことができる。このため、被エッチング基板1枚毎に常に安定したプロセス条件でのプラズマエッチングが可能で、スループットの低下もない。

請求項（抜粋）：

Cl系ガス、Br系ガスおよびI系ガスから選ばれるいずれか1種を含むエッチングガスにより、被エッチング基板上のSi系材料層をエッチングするプラズマエッチング方法において、F系ガスを含む処理ガスのプラズマ放電により、該Si系材料層表面の自然酸化膜を除去するとともに、エッチングチャンバ内壁面をクリーニングした後、前記プラズマエッチングを施すことを特徴とする、プラズマエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/3065 , C23F 4/00

FI (2件)：

H01L 21/302 F , H01L 21/302 N

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開平2-086126
特開平4-242927
特開平2-304923

全件表示

前のページに戻る