特許
J-GLOBAL ID：200903012927201481
マイクロマシンスイッチを含む集積回路、集積回路の製造方法、及び集積回路を含む電子回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：
上柳 雅誉
, 藤綱 英吉
, 宮坂 一彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-283476
公開番号（公開出願番号）：特開2007-115689
出願日： 2006年10月18日
公開日（公表日）： 2007年05月10日
要約：
【課題】標準的なCMOSプロセスを適用可能なMEMSスイッチ及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明による集積回路はCMOSプロセスによって形成され、回路部品(301-303)及び少なくとも一つのマイクロマシンスイッチを含み、前記少なくとも一つのスイッチは、第一の導電層に対応するアクチュエーター電極(11)と、第二の導電層に対応する少なくとも一つのコンタクト電極(21、22)と、第三の導電層に対応する可動導電素子(31)とを有する。また、本発明は、前記スイッチを有する集積回路の製造方法、及び前記スイッチを内蔵する回路に関する。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
回路部品と少なくとも一つのマイクロマシンのスイッチを含む集積回路であって、
少なくとも一つの前記スイッチは、アクチュエーター電極)と、少なくとも一つのコンタクト電極と、可動導電素子とを含み、
前記可動導電素子は、前記アクチュエーター電極が前記少なくとも一つのコンタクト電極に接触していないオープン状態と、前記アクチュエーター電極が前記少なくとも一つのコンタクト電極に実質的に接触しており、前記スイッチが閉じているクローズ状態との間で、選択的に移動可能に配置されており、
前記スイッチは、少なくともその一部が誘電材料によって分離されている少なくとも三つの導電層を含む積層構造からなり、
少なくとも一つの前記アクチュエーター電極は、前記導電層のうち第一の導電層の少なくとも一部によって構成され、
前記少なくとも一つのコンタクト電極は、前記導電層のうち第二の導電層によって構成され、
前記可動導電素子は、前記導電層のうち第三の導電層によって構成され、
前記回路部品及び少なくとも一つの前記マイクロマシンスイッチを含む当該集積回路は、誘電材料によってそれぞれ分離された導電層を順次堆積して、少なくとも前記第一のアクチュエーター電極、少なくとも一つの前記コンタクト電極及び前記可動導電素子を形成するCMOSプロセスによって形成されていることを特徴とする集積回路。
IPC (3件)：
H01H 59/00
, B81B 3/00
, B81C 1/00
H01H59/00
, B81B3/00
, B81C1/00
出願人引用 (8件)
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米国特許第5578976A明細書
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米国特許第6570750B明細書
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米国特許第6657525B明細書
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審査官引用 (2件)
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